Prof.Dr. BEŞİRE GÖNÜL

GAZİANTEP ÜNİVERSİTESİ
MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ FİZİK MÜHENDİSLİĞİ

   bgonul@gantep.edu.tr      (0342) 317 22 14  
Fen Bilimleri ve Matematik Temel Alanı  Fizik  Optoelektronik  Yoğun Madde Fiziği   Yarı İletkenler

Eğitim Bilgileri

Akademik Bilgileri

Makaleler

23 Adet
1
Achieving carrier and photon confinement in Ga(NAsP)/AlGaP/GaP QWs on Si substrates

ÜNSAL ÖMER LÜTFİ,GÖNÜL BEŞİRE
Yayın Yeri: Turkish Journal of Physics
İngilizce, Elektronik, 2017

Uluslararası  Hakemli  Özgün Makale  ESCI: Emerging Sources Citation Index
2
Revealing the effects of nitrogen on threshold current density in GaNxAsyP1−x−y/GaP/AlzGa1−zP type I QW laser structures by hydrostatic pressure

Ünsal Ömer Lütfi,GÖNÜL BEŞİRE
Yayın Yeri: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures
İngilizce, Elektronik, 2016

Uluslararası  Hakemli  Özgün Makale  SCI-Expanded
3
Modeling of the atomic structure and electronic properties of amorphous GaN1 x Asx

Bakir Kandemir E, Gönül B, Barkema G T, Yu K.M. , Walukiewicz W. , Wang L.W.
Yayın Yeri: Computational Materials Science
İngilizce, 2014

Uluslararası  Hakemli  Özgün Makale  SSCI
4
A theoretical investigation of the band alignment of type-I direct band gap dilute nitride phosphide alloy of GaNxAsyP1-x-y/GaP QWs on GaP substrates

Ünsal Ömer Lütfi,GÖNÜL BEŞİRE,Temiz Mehmet
Yayın Yeri: Chinese Physics B
İngilizce, Elektronik, 2014

Uluslararası  Hakemli  Özgün Makale  SCI-Expanded
5
An Exactly Solvable Algebraic Model for Single Quantum Well Treatments

GÖNÜL Bülent, ÜNSAL Ömer Lütfi, GÖNÜL Beşire
Yayın Yeri: Applied Mathematics
İngilizce, 2013

Uluslararası  Hakemli  Özgün Makale  SSCI
6
The comparison of the band alignment of GaInAsN quantum wells on GaAs and InP substrates for 001 and 111 orientations

Köksal K, Gönül B
Yayın Yeri: Physica E
İngilizce, Elektronik, 2011

Uluslararası  Hakemli  Özgün Makale  SSCI
7
An analysis of the effect of nitrogen and a screened by free carriers Coulomb field on the binding energy of hydrogenic shallow donors in GaInAsN

Köksal K, Gönül B
Yayın Yeri: Superlattices and Microstructures
İngilizce, Elektronik, 2010

Uluslararası  Hakemli  Özgün Makale  SSCI
8
The critical layer thickness of InGaNAsSb QWs on GaAs and InP substrates for 001 and 111 orientations

Köksal K, Gönül B, Oduncuoğlu M
Yayın Yeri: European Physical Journal B
İngilizce, Elektronik, 2009

Uluslararası  Hakemli  Özgün Makale  SSCI
9
Critical layer thickness of GaIn(N)As(Sb) QWs on GaAs and InP substrates for (001) and (111) orientations

KÖKSAL KORAY,GÖNÜL BEŞİRE,ODUNCUOĞLU MURAT
Yayın Yeri: The European Physical Journal B
İngilizce, Elektronik, 2009

Uluslararası  Hakemli  Özgün Makale  SCI-Expanded
10
A theoretical investigation of carrier and optical mode confinement in GaInNAs QWs on GaAs and InP substrates

Köksal K, Gönül B
Yayın Yeri: Physica Status Solidi C
İngilizce, Elektronik, 2007

Uluslararası  Hakemli  Özgün Makale  SSCI
11
Analysis of the band alignment of highly strained indium rich GaInNAs QWs on InP substrates

Gönül B, Bakır E, Köksal K
Yayın Yeri: Semicond. Science and Technol.
İngilizce, Elektronik, 2006

Uluslararası  Hakemli  Özgün Makale  SSCI
12
Comparison of the band alignment of strained and strain compensated GaInNAs QWs on GaAs and InP substrates

Gönül B, Köksal K, Bakır E
Yayın Yeri: Physica E
İngilizce, Elektronik, 2006

Uluslararası  Hakemli  Özgün Makale  SSCI
13
A Theoretical Comparison of the 1 3 doped Quantum well Lasers for different concentrations

Oduncuoğlu M, GÖNÜL B
Yayın Yeri: Physica E
İngilizce, Elektronik, 2005

Uluslararası  Hakemli  Özgün Makale  SSCI
14
A Theoretical Comparison of the Band Alignment of Conventionally Strained and Strain compensated Phosphorus Aluminum and Nitrogen based 1 3 QW Lasers

GÖNÜL B, Koçak F, Toktamış H, Oduncuoğlu M
Yayın Yeri: Chinese J. Phys.
İngilizce, Elektronik, 2004

Uluslararası  Hakemli  Özgün Makale  SSCI
15
Theoretical Comparison of Pressure Dependence of Threshold Current of Phosphorus Aluminium and Nitrogen based 1 3 mm Lasers

GÖNÜL B, Oduncuoğlu M
Yayın Yeri: Semicond. Science and Technol.
İngilizce, Elektronik, 2004

Uluslararası  Hakemli  Özgün Makale  SSCI
16
Comparative Study of the Band offset Ratio of Conventionally Strained and Strain compensated InGaAs GaAs QW Lasers

Toktamış Hüseyin, GÖNÜL Beşire, Oduncuoğlu Murat
Yayın Yeri: Physica E
İngilizce, Elektronik, 2004

Uluslararası  Hakemli  Özgün Makale  SSCI
17
Influence of Doping on Gain Characteristics of GaInNAs GaAs Quantum Well Lasers

GÖNÜL B, Oduncuoğlu M, Dindaroğlu S, Yağdıran B
Yayın Yeri: Semicond. Science and Technol.
İngilizce, Elektronik, 2003

Uluslararası  Hakemli  Özgün Makale  SSCI
18
Supersymmetric Approach To Exactly Solvable Systems With Position Dependent Masses

GÖNÜL BÜLENT,GÖNÜL BEŞİRE,DİLEK TUTCU,ÖZER OKAN
Yayın Yeri: Mod. Phys. Lett. A
İngilizce, Elektronik, 2002

Uluslararası  Hakemli  Özgün Makale  SSCI
19
Exact Solutions of Effective mass Schrodinger Equations

GÖNÜL BÜLENT,ÖZER OKAN,GÖNÜL BEŞİRE,ÜZGÜN FATMA
Yayın Yeri: Mod. Phys. Lett. A
İngilizce, Elektronik, 2002

Uluslararası  Hakemli  Özgün Makale  SSCI
20
Influence of Effective Mass and Energy Band Splittings on the Radiative Characteristics of QW Lasers at Transparency

Gönül Beşire
Yayın Yeri: Physica E
İngilizce, Elektronik, 1999

Uluslararası  Hakemli  Özgün Makale  SSCI
21
The Analysis of the Variation of Threshold Current with Pressure in Semiconductor Quantum Well Lasers

Gönül B
Yayın Yeri: Semicond. Sci. Technol.
İngilizce, Elektronik, 1999

Uluslararası  Hakemli  Özgün Makale  SSCI
22
Hydrostatic Pressure Dependence of the Threshold Current in 1 5 m Strained Quantum well Lasers

Adams A R, Silver M, OReilly E P, Gönül B , Phıllıps AF , Sweeney SJ, and Thıjs PJA,
Yayın Yeri: Phys.stat.sol. (b)
İngilizce, Elektronik, 1996

Uluslararası  Hakemli  Özgün Makale  SSCI
23
Evaluation of Various Approximations Used in the Envelope function Method

A T MENEY,GÖNÜL BEŞİRE,E P O REILLY
Yayın Yeri: Phys. Rew.B
İngilizce, Elektronik, 1994

Uluslararası  Hakemli  Özgün Makale  SSCI

Projeler

3 Adet
1
GaP altlıklı özgün GaNxAsyP1 x y GaP kuantum kuyu lazerinin eşik akımının hidrostatik basınca bağımlılığı


15.04.2014 - 15.07.2015
TÜBİTAK PROJESİ,   Yürütücü 

ULUSAL  GAZİANTEP ÜNİVERSİTESİ  Tamamlandı
2
1 Bildiklerini Bana da Öğretir misin

Toplumsal Duyarlılık Projesi
DİĞER,   Proje Koordinatörü 

  Tamamlandı
3
2 Gezegenevi Rehberliği

Toplumsal Duyarlılık Projesi
DİĞER,   Proje Koordinatörü 

  Tamamlandı

Üniversite Dışı Deneyim

1 Adet
1
Gaziantep Üniversitesi

Öğretim Üyesi
Araştırmacı Öğretim üyesi,

1989

İdari Görevler

Yönetilen Tezler

Durum Tez Adı Hazırlayan Kaynak Yıl
1 Tamamlandı Computational modelling of highly mis-matched alloys of GaNAsP and GaNAsBi as a laser gain material ÖMER LÜTFİ ÜNSAL TezMerkezi 2016
2 Tamamlandı Modeling of the atomic structure and electronic properties of highly mismatched Amorphous GaNAs alloys EBRU BAKIR KANDEMİR TezMerkezi 2013
3 Tamamlandı Theoretical investigation of the effect of nitrogen on optical and electronic properties of GaInAsN semiconductors KORAY KÖKSAL TezMerkezi 2009
4 Tamamlandı A theoretical analysis of GaInNAs/GaAs quantum vells for long wavelength emission MURAT ODUNCUOĞLU TezMerkezi 2004
Durum Tez Adı Hazırlayan Kaynak Yıl
1 Tamamlandı Modelling of novel bismide alloys for optoelectronic devices NURETTİN GÖKDENİZ TezMerkezi 2019
2 Tamamlandı Spectral detector characterization SABİHA YARLUĞKAL TezMerkezi 2019
3 Tamamlandı A theoretical search on the effects of nitrogen and aluminium on band offset of GaNxAsyP1-x-y/AlxGa1-xP material system MEHMET TEMİZ TezMerkezi 2013
4 Tamamlandı Revealing the Effects of Nitrogen and non-radiative Auger Recombination Processes in GaNxAsyP1-x-y/GaP type I QW by Hydrostatic Pressure SHAZA ALİ YOUSF TezMerkezi 2012
5 Tamamlandı Investigation of the band alignment of long wavelength InGa(N)As(Sb) quantum wells on GaAs and InP substrates EBRU BAKIR TezMerkezi 2007
6 Tamamlandı Effect of nitrogen incorporation into GaInAs/GaAs grown on (111) substrates MEHMET KAYA TezMerkezi 2006
7 Tamamlandı Band-offset ratio calculations of nitrogen containing III-V quantum wells FATMA KOÇAK TezMerkezi 2003
8 Tamamlandı A Theoretical study of the III-N-V quantum well lasers BİLAL YAĞDIRAN TezMerkezi 2003
9 Tamamlandı Theoretical investigation of strain-compensated laser structures HÜSEYİN TOKTAMIŞ TezMerkezi 2002
10 Tamamlandı Modelling of gain, differential gain, index change and linewidth enhancement factor for quantum well lasers SEMRA DİNDAROĞLU TezMerkezi 2002
11 Tamamlandı Effects of growth orientation on the properties of strained semiconductor quantum well lasers MURAT ODUNCUOĞLU TezMerkezi 2000